分享到微信
科技
作者:谢矩
2020-10-15 14:11
[亿欧导读]

据兆易创新介绍,该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化,并已成功量产,标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。

芯片

题图来自“公开图片”

10月15讯,兆易创新正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列。

据兆易创新介绍,该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化,并已成功量产,标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。

该创新技术产品有助于进一步丰富兆易创新的存储类产品线,为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案。

数据显示,GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品,大大提升了读写速度,最高时钟频率达到120MHz,数据吞吐量可达480Mbit/s,支持1.8V/3.3V供电电压,能够满足客户对不同供电电压的需求;同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

兆易创新成立于2005年,是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司。公司致力于各类存储器、控制器(GD32TMMCU)及周边产品(SSD)的设计研发,在中国大陆(北京/合肥/上海/深圳)、台湾、韩国、美国、日本等多个国家和地区设有分支机构,营销网络遍布全球。

24nm级别工艺意味着,兆易创新已迈入当下SLC NAND Flash先进技术行列。在相关技术遭到部分海外国家限制的当下,该技术的突破,一定程度上减轻了海外技术封禁对我国相关企业和技术产品生产的负面影响。

但在全球范围内,NAND Flash产品最顶尖的技术可以达到1xnm级别,我国相关半导体技术仍然任重道远。

本文来源于亿欧,原创文章,作者:谢矩。转载或合作请点击转载说明,违规转载法律必究。

芯片半导体行业储存器北斗芯片国产射频芯片