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科技
作者:唐楠
编辑:张宇喆 2021-06-02 20:46
[亿欧导读]

6月2日,台积电在2021年技术论坛上分享了最新技术进展,公布了包括针对下一代5G射频器件与WiFi6/6e产品的N6RF制程、针对汽车应用的N5A制程、3DFabric系列封装与芯片堆叠技术等。

芯片

题图来自“原创图片”

6月2日,台积电采用线上形式举行了2021年技术论坛,并在活动上分享了最新技术进展,公布了包括针对下一代5G射频器件与WiFi6/6e产品的N6RF制程、针对汽车应用的N5A制程、以及3DFabric系列封装与芯片堆叠技术的强化版。

台积电总裁魏哲家表示,疫情加速了数字化的脚步,并对所有产业皆造成冲击。他预测,疫情之后数字化转型相关的投资仍将持续,从而形成数字全球经济。同时,数字化转型为半导体产业开启了充满机会的崭新格局。

魏哲家提到,为提供更高的运算能力和更高效的网路基础建设,高效能运算(HPC)应用的需求激增,使得高效能运算应用成为驱动半导体技术的主要动能之一。

台积电在活动上公布的芯片制程包括:

N5A:将现今超级电脑使用的相同技术带入车辆之中,搭载N5的运算效能、功耗效率、以及逻辑密度,同时符合AEC-Q100 Grade 2严格的品质与可靠性要求,以及其他汽车安全与品质的标准,台积电汽车设计实现平台也提供支持。该芯片目标在于满足汽车应用对于运算能力日益增加的需求,例如支援人工智能的驾驶辅助及智能座舱。预计于2022年第3季问世。

N6RF:将N6逻辑制程所具备的功耗、效能、面积优势带入到5G射频(RF)与WiFi6/6e解决方案。相较于前一代的16nm射频技术,N6RF电晶体的效能提升超过16%。N6RF针对6GHz以下及毫米波频段的5G射频收发器提供大幅降低的功耗与面积,同时兼顾消费者所需的效能、功能与电池寿命,并将强化支持WiFi 6/6e的效能与功耗效率。

3nm芯片:该芯片相较于N5技术速度增快15%,功耗降低达30%,逻辑密度增加达70%。目标于2022年下半年在南科的Fab 18晶圆开始量产,届时将成为全球最先进的逻辑技术。

4nm芯片:该芯片制程技术开发顺利,预计2021年第三季度开始试产,较先前规划提早一个季度。

此外,台积电对移动应用等5个方面的进展进行了披露:

3DFabric系统整合解决方案方面:台积电持续扩展由三维堆叠及先进封装技术组成的完备3DFabric系统整合解决方案。系统整合芯片之中芯片堆叠于晶圆之上(CoW)的版本预计2021年完成N7验证,并于2022年在新的全自动化晶圆厂开始生产。

高效能运算应用方面:将于2021年提供更大的光罩尺寸来支持整合型扇出暨封装基板(InFO_oS)及CoWoS封装解决方案,运用范围更大的布局规划来整合小芯片及高频宽记忆体。

移动应用方面:推出InFO_B解决方案,将强大的行动处理器整合,提供强化的效能与功耗效率,并且支持移动设备制造厂商封装时所需的动态随机存取记忆体堆叠。

特殊制程方面:为广泛的应用提供同级最佳的特殊制程技术,包括CMOS影像感测、电源管理技术等,并提供客制化服务为客户创造独特的差异性。2020年,台积电运用超过280项技术,为500多个客户生产超过1.1万种产品。

绿色制造方面:承诺到2050年台积电所有生产厂房和办公室将100%使用再生能源,中期目标是到2030年时使用25%的再生能源。截至2020年,该公司已购买1.2百万瓩的再生能源,约占总用电量的7%。另外,该公司于2021年开始建造业界首座零废弃物制造中心,预计2023年进行试产,其将采用最先进的回收和纯化制程,将废弃物转化为电子级化学品。

台积电表示,目前2nm工艺刚刚进入正式研发阶段。根据试验,纳米片晶体管可将Vt波动降低至少15%。台积电2nm工艺将首次引入纳米片晶体管,取代现在的FinFET结构。

台积电总裁魏哲家透露,该公司斥资120亿美元在亚利桑那州建造12英寸晶圆厂,现阶段已经开工,工程正顺利进行。该工厂有望自2024年开始量产5纳米制程芯片,届时月产能约2万片。并称,2022年底台积电将有5座3D封装(3DFabric)专用晶圆厂。

台积电资深副总经理秦永沛宣布,台积电计划今年年底将EUV薄膜产能增加一倍,并增加反射DUV掩膜寿命。并透露,该公司台南工厂Fab 18第4期用于N5制程扩产,Fab 18第5-8期厂将负责N3制程。另外,台积电还计划在新竹建立新厂Fab 20,用于N2制程生产。

台积电先进技术业务开发处长袁立本表示,出于成本考量,中低阶手机、消费电子产品等产品采用最先进制程技术时间会稍有延迟,目前多数采用16/12nm并正向6nm迈进,预计至2023年此类产品的主流技术将会是4nm。

本文来源于亿欧,原创文章,作者:唐楠。
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